DIFF-Furnace（炉管）
Furnace（炉管）设备是半导体工艺的核心设备之一。应用于氧化、扩散、薄膜生长、退火、合金等工艺。分为卧式（Horizontal Furnace）和立式（Vertical Furnace）两种。立式炉按照工艺压力可以分为常压炉和低压炉两大类。常压炉主要应用于薄膜氧化，掺杂热扩散，退火等。低压炉主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺，主要是多晶硅，氮化硅，氧化硅等薄膜。低压设备分为低压力化学气相沉积和原子层沉积。
【常压设备】主要应用工艺是氧化、退火和合金，炉管的工作温度为300~1100度，压力为一个标准大气压，一般使用氢气加氧气，或者氮气等。
【低压化学气相沉积设备】主要应用于多晶硅、氮化硅、高温氧化硅、中温氧化硅等工艺，炉管的工作温度一般在500~800度，需要配备真空泵。
【原子层沉积设备】主要应用于氧化硅，氮化硅，氮化钛和High-K(氧化铝、氧化锆、氧化铪等)工艺。原子层沉积设备具备优秀的台阶覆盖能力，可用于高深宽比的结构薄膜的沉积，是先进制成必不可少的工艺。
