化学气相沉积设备CVD

薄膜沉积设备制造技术难度大，门槛极高，是半导体制造工艺中的三大核心设备之一。薄膜沉积设备作为晶圆制造的核心设备之一，在晶圆制造环节设备投资占比仅次于光刻机，约占 25%。可分为物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和其他。薄膜沉积是在晶圆衬底上通过物理气相沉积等方法生长出的一层厚度非常薄的薄膜，这层薄膜可以是绝缘物质、半导体材料或者金属，因此按照材料的类型，沉积薄膜可分为半导体薄膜（Si）、介质薄膜（二氧化硅、氮化硅等）及金属薄膜（铝、铜、钨、钛等）。

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